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J-GLOBAL ID：201802276060076170   整理番号：18A0165166

PINおよびp NOIトンネル電子デバイスと可能性のある応用の垂直変異体【Powered by NICT】

Vertical variants of PIN and p-NOI tunnel electronic devices and potential applications

著者 (6件)： Ravariu C. (Dept. of Electronic Devices and Circuits & Dept. of Organic, Chemistry University Politehnica of Bucharest, Bucharest, Romania, Splaiul Independentei 313, Sect.6, 060042) ,  Babarada F. (Dept. of Electronic Devices and Circuits & Dept. of Organic, Chemistry University Politehnica of Bucharest, Bucharest, Romania, Splaiul Independentei 313, Sect.6, 060042) ,  Mihaiescu D. (Dept. of Electronic Devices and Circuits & Dept. of Organic, Chemistry University Politehnica of Bucharest, Bucharest, Romania, Splaiul Independentei 313, Sect.6, 060042) ,  Idu M. (Dept. of Electronic Devices and Circuits & Dept. of Organic, Chemistry University Politehnica of Bucharest, Bucharest, Romania, Splaiul Independentei 313, Sect.6, 060042) ,  Vladoianu L. (Dept. of Electronic Devices and Circuits & Dept. of Organic, Chemistry University Politehnica of Bucharest, Bucharest, Romania, Splaiul Independentei 313, Sect.6, 060042) ,  Manea E. (Department of Microtechnology, National Institute for Development and Research of Microtechnology IMT, Bucharest, Romania, Str. Erou Iancu Nicolae 126A, 077190)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISEEE  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通信トラヒックが近年ブロードバンドアクセスの急速な成長により改善し続けている,しばしばPINやトンネルデバイスに基づいている。本論文では,二種類のトンネル素子を検討,断面を通しての垂直配置では,底部陰極上部アノードからのトンネル電流を可能にする平面技術(p NOI)におけるPINとNOI装置。NOI 何もオンインシュレータ素子を提案し,タイムリーな更新されなかった。真空ナノトランジスタクラスに属する。シミュレーションは数より優れたデバイスパラメータと文献からの関連デバイスを明らかにした。二重MOSゲートダイオード構造を有する垂直p NOI装置,SS=0.4dec<<SS=4.1decで作製した真空ナノトランジスタを越える。三つの補償されたドリフト領域を持つPIN垂直ダイオードは,より高い絶縁破壊電圧を提供し,可能な限り低い直列抵抗を維持した。最後に,PINとNOIデバイスの応用を提示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  ドリフト ,  *ダイオード
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  絶縁破壊電圧 ,  トンネル電流 ,  *電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光通信方式・機器  (ND10000B) ,  電話・データ通信・交換一般  (ND11010T)

タイトルに関連する用語 (6件)： トンネル ,  電子デバイス ,  可能性 ,  応用 ,  垂直 ,  変異体