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J-GLOBAL ID:201802276431044895   整理番号:18A1689170

高圧ねじり処理後の異なるドーピング濃度のSiの電気的性質に及ぼす準安定相の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of metastable phases on electrical properties of Si with different doping concentrations after processing by high-pressure torsion
著者 (9件):
資料名:
巻: 157  ページ: 120-123  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0915A  ISSN: 1359-6462  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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種々のドーピングレベルのSi(100)ウエハを高圧ねじり(HPT)にかけた。すべてのドーピングレベルに対する抵抗率は,初期圧縮後に一桁または二桁増加したが,HPT処理の10回転後に,通常および高ドープ試料に対しては約0.1Ωcm,超高ドープ試料に対しては約0.02Ωcmに減少した。873Kでのアニーリング後,抵抗率は元のSiウエハに比べて4桁増加した。これらの結果は,準安定相の形成がHPT処理試料の電気抵抗率に重要な役割を果たすことを示している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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機械的性質  ,  特殊成形  ,  変態組織,加工組織 
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