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J-GLOBAL ID：201802276634158343   整理番号：18A0446696

Si FinFETを用いたモノリシック3次元集積MX_2FETのベンチマーキング【Powered by NICT】

Benchmarking of monolithic 3D integrated MX₂ FETs with Si FinFETs

著者 (9件)： Agarwal T. (Hmec, Leuven, Belgium) ,  Szabo A. (ETH, Zurich, Switzerland) ,  Bardon M. G. (Hmec, Leuven, Belgium) ,  Soree B. (Hmec, Leuven, Belgium) ,  Radu I. (Hmec, Leuven, Belgium) ,  Raghavan P. (Hmec, Leuven, Belgium) ,  Luisier M. (ETH, Zurich, Switzerland) ,  Dehaene W. (Hmec, Leuven, Belgium) ,  Heyns M. (Hmec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 5.7.1-5.7.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,単層遷移金属二カルコゲン化物(MX2)FETは性能指数と物理的コンパクトモデルとしてエネルギー遅延を用いたSi FinFETを用いたベンチマークした。モデルは,異なる材料の原子論的シミュレーションと実験データの両方を用いて検証し,いかなるフィッティングパラメータを使用することはない。単一ゲート(SG)モードと二重ゲート(DG)MX2FETはオン電流,素子容量と遅延の観点から比較した。DG MX2FETが支配的ワイヤ負荷の場合の同じエネルギー消費に対するSG MX2FETよりも25~30%速く実行される。WS2DG FETを選択MX2材料間のより良いエネルギーと速度の両方を示した。しかし,FinFETと比較して,WS2DG FETは~35%遅いが,より多くのエネルギー効率的であることを示した。MX2FETを用いたFinFETの性能に適合するように,モノリシック3D集積MX2SGとDG FETを探索した。は3~5積層WS2DG FETはN3FinFET性能を満たすために必要であることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属線 ,  モデル ,  *ベンチマーク ,  エネルギー消費 ,  性能指数 ,  電流 ,  単一層 ,  エネルギー効率 ,  三次元
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  原子論的シミュレーション ,  コンパクトモデル ,  *ベンチマーキング ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  FinFET ,  3次元 ,  集積 ,  ベンチマーキング