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J-GLOBAL ID：201802276720545289   整理番号：18A0118522

レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定

Seebeck effect measurement of rare metal free oxide semiconductor

著者 (6件)： 野村竜生 (龍谷大) ,  荒牧達也 (龍谷大) ,  松田時宜 (龍谷大) ,  梅田鉄馬 (奈良先端科学技術大学院大) ,  上沼睦典 (奈良先端科学技術大学院大) ,  木村睦 (龍谷大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 372(EID2017 11-29)  ページ： 29-34  発行年： 2017年12月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 廃熱を回収し,効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられている。しかし,熱電変換素子として期待されている酸化物半導体には希少金属が使用されていることが多い。そこで,我々はレアメタルフリー酸化物半導体であるGTO薄膜を用いた熱電変換素子を研究している。本研究ではGTO熱電変換素子のアニール,酸素流量比,成膜圧力の依存性の評価を行った。酸素流量比Ar/O₂=20/4sccmの時でゼーベック係数が-284μV/K,導電率は3.9S/cm,PFは0.031mW/m K²となった。今後成膜条件を最適化していくことで,より性能の向上がみられると考える。(著者抄録)

シソーラス用語： *熱電効果 ,  *熱起電力 ,  化合物半導体 ,  *ガリウム化合物 ,  *スズ酸塩 ,  *半導体薄膜 ,  焼なまし ,  流量 ,  薄膜成長 ,  圧力効果 ,  電気伝導率 ,  廃熱回収 ,  熱電気変換 ,  実験 ,  電気特性
準シソーラス用語： Seebeck効果 ,  酸化物半導体 ,  酸素流量 ,  熱電特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (12件)：

• R. Venkatsubramanian, E. Siivola, T. Colpitts and B. O'Quinn. ′′Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit.′′ Nature 413.6856, pp.597-602, 2001
• Snyder, G. Jeffrey, and Eric S. Toberer ′′Complex thermoelectric materials.′′ Nature materials 7.2, pp.105-114, 2008
• K. Matsuhira, et al ′′Thermal expansion of PrRu₄P₁₂.′′ Physical B: Condensed Matter 281, pp.298-299, 2000
• T. Matsuda, K. Umeda, Y. Kato, D. Nishimoto, M. Furuta, and M. Kimura, ′′Rare-metal-free high-performance Ga-Sn-O thin film transistor.′′ Scientific Reports, pp.7, 2017
• T. Matsuda, R. Takagi, K. Umeda, and M. Kimura, ′′Room-temperature fabrication of a Ga-Sn-O thin-film transistor.′′ Solid-State Electronics, 134, pp.19-21, 2017

タイトルに関連する用語 (3件)： レアメタル ,  酸化物半導体 ,  ゼーベック効果