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J-GLOBAL ID：201802277023282337   整理番号：18A2027604

SiCパワーMOSFETの高速ハードスイッチングのためのGaN HEMTを用いたゲートドライバの駆動能力の向上【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of Driving Capability of Gate Driver Using GaN HEMTs for High-Speed Hard Switching of SiC Power MOSFETs

著者 (2件)： Okuda Takafumi (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan) ,  Hikihara Takashi (Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IPEC Niigata 2018 -ECCE Asia  ページ： 3654-3657  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高スイッチング周波数でSiCパワーMOSFETを駆動するために,GaN-HEMTプッシュプル構成に基づく高速ゲートドライバを提案した。本研究では,GaNベースのゲートドライバの出力電圧に及ぼすGaN HEMTの寄生インダクタンスの影響を調べた。GaN HEMTのゲート,ソース,ドレイン端子における寄生インダクタンスをSPICEシミュレーションにより解析した。GaN HEMTのゲートとソース端子における寄生インダクタンスはゲートドライバの出力波形にほとんど影響しないが,GaN HEMTのドレイン端子における寄生インダクタンスは出力電圧の大きな電圧振動を生じることが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高速度 ,  シミュレーション ,  *窒化ガリウム ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 電圧振動 ,  出力波形 ,  寄生インダクタンス ,  出力電圧 ,  スイッチング周波数 ,  *GaN HEMT ,  *ハードスイッチング ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  ハードスイッチング ,  GaN ,  HEMT ,  ゲート ,  ドライバ ,  能力