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J-GLOBAL ID：201802277122309951   整理番号：18A0403793

TMをドープした2次元炭化けい素中の電子及び磁気特性のab initio研究【Powered by NICT】

Ab initio study of electronic and magnetic properties in TM-doped 2D silicon carbide

著者 (4件)： Luo M. (Department of Electronic Engineering, Shang Hai Jian Qiao University, Shanghai 201306, PR China) ,  Shen Y.H. (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China) ,  Yin T.L. (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, East China Normal University, Shanghai 200241, PR China) ,  Yin T.L. (School of Electronics and Information, Nantong University, Nantong 226019, PR China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 85  ページ： 280-284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるTM原子および置換サイトを有するSiC単分子層の磁気的性質を,第一原理法を用いて研究した。磁性などによるとすべてのTMドーパントで観察された。磁気モーメントと結合エネルギーはSi(TM_Si)およびC(TM_C)サイトの間で全く異なっていた。大きな磁気モーメントと結合エネルギーに依存して,ここではまた,TM_Si系における二Mn原子間の相互作用を調べた。結果は,強磁性状態はMnとその隣接するC原子の間のp-d混成機構により生じていることを示した。さらに,反強磁性結合はMn-Mn距離の増加と共に観測され,これは量子モンテカルロ法を用いた二不純物Haldane-Andersonモデルによって説明することができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子モンテカルロ法 ,  磁気モーメント ,  強磁性 ,  *炭化ケイ素 ,  *ドーピング ,  単分子層 ,  計算 ,  マンガン ,  反強磁性 ,  *二次元 ,  第一原理 ,  磁性 ,  結合エネルギー ,  ドーパント ,  Anderson模型
準シソーラス用語： 反強磁性結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiC ,  磁気的性質 ,  第一原理計算 ,  反強磁性 ,  H aldane-Andersonモデル

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (7件)： Tm ,  ドープ ,  2次元 ,  炭化けい素 ,  電子 ,  磁気特性 ,  研究