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J-GLOBAL ID：201802277600596263   整理番号：18A1893610

GeSe_2単分子層の電子特性と異方性の歪工学【JST・京大機械翻訳】

Strain-engineering the electronic properties and anisotropy of GeSe₂ monolayers

著者 (6件)： Li Zongbao (School of Material and Chemical Engineering, Tongren University, Tongren 554300, China) ,  Wang Xia ,  Shi Wei ,  Xing Xiaobo ,  Xue Ding-Jiang ,  Hu Jin-Song
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 58  ページ： 33445-33450  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい二次元(2D)材料として,GeSe_2は,面内異方性結晶構造,高空気安定性,および偏光敏感光検出における優れた性能に起因する独特の面内異方性特性のために,最近注目されている。しかし,GeSe_2の電子特性と異方性に及ぼす歪効果の系統的研究は報告されておらず,機械的電子デバイスのような関連する応用を制限している。ここでは,第一原理計算を通して,xとy方向に沿った歪下でのGeSe_2単分子層の電子的性質と異方性の変化を調べた。電荷キャリアの電子バンド構造と有効質量は歪に非常に敏感である。特に,適切なxまたはy方向歪を通して,正孔有効質量の異方性は90°回転できる。GeSe_2のこれらの豊富な歪工学特性は,新しい機械的電子応用において多くの機会を与える。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *単分子層 ,  *異方性 ,  結晶構造 ,  有効質量 ,  偏光 ,  正孔 ,  二次元 ,  計算 ,  光検出
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  電荷キャリア ,  第一原理計算 ,  電子素子 ,  歪効果 ,  面内異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単分子層 ,  電子 ,  異方性 ,  歪 ,  工学