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J-GLOBAL ID：201802277611953258   整理番号：18A0838787

CMOSバックエンドオフラインと両立するRRAMデバイスのための酸化インジウムナノ粒子【JST・京大機械翻訳】

Indium-oxide nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS back-end-off-line

著者 (12件)： Leon Perez Edgar A.A. (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Guenery Pierre-Vincent (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Abouzaid Oumaiema (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Ayadi Khaled (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Brottet Solene (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Moeyaert Jeremy (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA/LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France) ,  Labau Sebastien (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA/LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France) ,  Baron Thierry (Univ. Grenoble Alpes, CNRS, CEA/LETI Minatec, LTM, F-38054 Grenoble Cedex, France) ,  Blanchard Nicholas (Univ. Lyon, Institut Lumiere Matiere-UMR CNRS 5306, UCBL1, 69621 Villeurbanne, France) ,  Baboux Nicolas (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Militaru Liviu (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France) ,  Souifi Abdelkader (Univ. Lyon, Institut des Nanotechnologies de Lyon-UMR CNRS 5270, INSA Lyon, 69621 Villeurbanne, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 143  ページ： 20-26  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MIM構造中のナノ粒子に基づく抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)デバイスの作製と特性化について報告した。著者らのアプローチは,不揮発性メモリ(NVM)応用のためのバックエンド-オフライン統合の観点から,CMOS-完全互換性製造プロセスを用いて,誘電体マトリックス中に埋め込まれた酸化インジウム(In_2O_3)ナノ粒子の使用に基づいている。全ての素子に対して電流-電圧測定(I-V)を用いて双極スイッチング挙動を観測した。非常に高いI_ON/I_OFF比を10~8まで得た。著者らの結果は,NVM応用のためのIn_2O_3ナノ粒子ベースのデバイスの更なる統合のための洞察を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 誘電体 ,  キャラクタリゼーション ,  *酸化インジウム ,  電流 ,  電圧測定 ,  スイッチング ,  生産工程 ,  *CMOS ,  *ナノ粒子 ,  互換性 ,  不揮発性メモリ ,  MIM構造
準シソーラス用語： *オフライン ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： RRAM ,  不揮発性メモリ ,  ナノ粒子 ,  酸化インジウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  バックエンド ,  オフライン ,  RRAM ,  酸化インジウム ,  ナノ粒子