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J-GLOBAL ID：201802277975228078   整理番号：18A0194124

nMOS SOIトライゲートナノワイヤ電界効果トランジスタのTID応答に及ぼす幾何学的効果とバイアス構成の研究【Powered by NICT】

Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors

著者 (13件)： Riffaud J. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Gaillardin M. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Marcandella C. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Martinez M. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Paillet P. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Duhamel O. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Lagutere T. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Raine M. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Richard N. (DAM, DIF, CEA, ArpajonCedex, France) ,  Andrieu F. (LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France) ,  Barraud S. (LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France) ,  Vinet M. (LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France) ,  Faynot O. (LETI-Minatec, CEA, Grenoble Cedex, France)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65  号： 1  ページ： 39-45  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ナノワイヤ(NW)電界効果トランジスタ(NWFET)の全イオン化ドーズ(TID)感度を調べた。誘電体中の電荷捕獲のX線照射と自己無撞着計算の両方は,それらの総電離線量(TID)応答を研究した。北西部形状の影響を調べた。NWFET TID挙動は,NW幅の関数としての強い依存性を示すゲート長を短縮する最適化された狭いNWFETのTID特性を顕著に変化させなかった。nMOS NWFETは,いくつかの運転条件でかなりの量のTIDに耐えるかどうかを照射中に用いられるバイアス構成の影響を検討した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  イオン化 ,  *ナノワイヤ ,  最適化 ,  X線照射 ,  誘電体 ,  *バイアス
準シソーラス用語： ゲート長 ,  総電離線量 ,  電荷捕獲 ,  *ナノワイヤトランジスタ ,  *トライゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (9件)： NMOS ,  SOI ,  トライゲート ,  ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  TID ,  応答 ,  幾何学 ,  バイアス ,  研究