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J-GLOBAL ID:201802278048851924   整理番号:18A0386970

電子デバイスにおける1/f雑音スペクトル研究の性能評価と最適化のための実験技術【Powered by NICT】

Experimental technique for the performance evaluation and optimization of 1/f noise spectrum investigation in electron devices
著者 (4件):
資料名:
巻: 98  ページ: 421-428  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0315B  ISSN: 0263-2241  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本稿では,半導体電子デバイスのポートで1/f雑音バイアス変化研究の枠内で,パワースペクトル密度のノンパラメトリック推定器の性能評価を目的としている,提案した迅速かつ系統的実験法。先験的モーメントの面倒な解析的計算,信頼性で時間のかかる従来の統計的推論のための両方の必要性を克服することを可能にする,この方法論は推定量の性能と単一実現から研究中の関連パラメータを提供し,相対的および漸近的意味でノンパラメトリックアルゴリズムの周波数定常性を利用した。技術は電力MOSFETの事例研究に適用し,Bartlett,Welchと円形Welch推定量と異なる時間窓とデータ記録セグメンテーション戦略を考慮して,その能力を検証するために,特に,1/f雑音スペクトルの最適ノンパラメトリック推定を同定した。添加では,従来の統計的推論を用いて得られた結果は,提案した技術により提供される推定に,更なる実験的評価の目的と比較した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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