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J-GLOBAL ID:201802278076851854   整理番号:18A0615705

スペクトルアーチファクト後スパッタエッチングとこれら法規への対処の仕方-単原子及びクラスタイオンビームを用いた窒化物系被覆のXPSの事例研究【Powered by NICT】

Spectral artefacts post sputter-etching and how to cope with them - A case study of XPS on nitride-based coatings using monoatomic and cluster ion beams
著者 (4件):
資料名:
巻: 442  ページ: 487-500  発行年: 2018年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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スパッタエッチングに起因するアーチファクトの問題は,熱力学的安定性を変化させたAlNベースの薄膜材料の群について調べた。材料の安定性を二種の濃度で14族元素Si,GeまたはSnの合金化AlNによって制御された。皮膜では,0.2と4.0keVの間のエネルギーを持つ単原子Ar~+でスパッタエッチングしたスパッタ損傷に対する材料の感度を研究した。酸化表面層を除去するAr_n~+クラスタの使用はまた,選択した試料を評価した。スペクトルは分析装置への合成室から真空中の試料移動後に得られた元のスペクトルと比較した。は,すべての試料が様々な程度に高エネルギー(4 keV)Ar~+イオンによる影響を受けたことが分かった。観察された損傷の量を決定する因子は生成材料のエンタルピーであることが分かった,しきい値は約 1.25eV/atom(~ 120kJ/mol原子)で存在していると考えられる。各試料では,損傷の観察された量は,体積除去材料当たりのイオンビームにより蒸着したエネルギーに線形依存性を持つことが分かった。全試料のスパッタ損傷の発生にもかかわらず,ほとんど人工物の無いスペクトルデータをもたらすエッチング設定を見出した;非常に低エネルギー(200eV)単原子イオン,あるいはイオンクラスタの大きさとエネルギーの適切な組み合わせを用いた。本研究では,解析後スパッタエッチングが可能スパッタ誘起アーチファクトの認識を行わなければならないことを強調した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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スパッタリング  ,  質量分析 

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