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J-GLOBAL ID：201802278168154602   整理番号：18A1862632

GaAs基板上に成長させたGaInPおよびAlInAs変成バッファの歪緩和比較【JST・京大機械翻訳】

Strain relaxation comparison of GaInP and AlInAs metamorphic buffers grown on GaAs substrates

著者 (4件)： Li Kuilong (College of Science, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan 250353, China) ,  Wang Wenjia (College of Science, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan 250353, China) ,  Wang Qiang (College of Science, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan 250353, China) ,  Leng Jiancai (College of Science, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan 250353, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 768  ページ： 74-80  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 組成的に段階的に傾斜したAl_1-xIn_xAs(x=0~0.31)とGa_1-xIn_xP(x=0.48~0.78)変成バッファをGaAs基板上に有機金属化学蒸着により成長させ,GaAsからIn_0.30Ga_0.70Asへの格子転移を実現した。同じバッファ構造,厚さ,およびミスフィットグレードレートにより,AlInAsバッファ上のInGaAs層は,GaInPバッファ上よりもはるかに良好な表面形態と低密度貫通転位を示した。試料の逆空間マッピングは,AlInAsバッファが歪を急速に緩和するが,GaInPバッファは層を通して部分的に歪み,InGaAs層成長後に十分な緩和が達成されることを示した。異なる歪緩和機構は主にAlInAsの高い成長温度に起因し,転位核形成と滑り,特にα転位を容易にした。GaInPバッファに対しては,ミスフィットグレードレートを低減することにより品質を大幅に改善できる。本研究は格子不整合半導体デバイスの設計と成長のための有用なガイドを提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,  半導体素子 ,  *ヒ化ガリウム ,  MOCVD ,  核形成 ,  品質 ,  高速度 ,  格子不整合 ,  ミスフィット ,  *変成作用 ,  貫通転位
準シソーラス用語： 低密度 ,  表面形態 ,  *歪緩和 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlInAs変成バッファ ,  GaInP変成バッファ ,  歪緩和 ,  貫通転位 ,  傾斜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  成長 ,  GaInP ,  AlInAs ,  変成 ,  バッファ ,  歪緩和