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J-GLOBAL ID：201802278204301427   整理番号：18A0125625

臭化タリウム半導体放射線検出器のための先進的結晶成長技術【Powered by NICT】

Advanced crystal growth techniques for thallium bromide semiconductor radiation detectors

著者 (5件)： Datta Amlan (CapeSym, Inc., 6 Huron Drive, Natick, MA 01760, USA) ,  Becla Piotr (CapeSym, Inc., 6 Huron Drive, Natick, MA 01760, USA) ,  Becla Piotr (Massachusetts Institute of Technology, 77 Massachusetts Ave, Cambridge, MA 02139, USA) ,  Guguschev Christo (Leibniz Institute for Crystal Growth, Max-Born-Strasse 2, Berlin 12489, Germany) ,  Motakef Shariar (CapeSym, Inc., 6 Huron Drive, Natick, MA 01760, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 483  ページ： 211-215  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 臭化タリウム(TlBr)は優れた電荷輸送特性を持つ有望な室温放射線検出器候補である。現在,進行溶融帯(TMZ)技術は,半導体級TlBr結晶の成長のための広く用いられている。しかし,低収率,高い熱応力,低結晶均一性を含む結晶成長プロセスのこのタイプに関連したいくつかの課題である。電流法のこれらの欠点を克服するために,いくつかの異なる結晶成長技術はこの研究で実行された。これらは次のものを含む:垂直Bridgman(VB),物理気相輸送(PVT),エッジ形成膜供給成長(EFG)及びCzochralski成長(Cz)。溶融引き上げ(EFGとCz)に基づく技術は,半導体グレードTlBr材料を初めて実証した。各プロセスの実行可能性と共にTlBr成長に関連する課題を議論した。その結晶構造と電子特性と共にTlBr結晶の純度を分析し,相関成長技術であった。約2%裸眼662keVエネルギー分解能は仮想Frischグリッド配置にした5mm×5mm×10mm TlBrデバイスから得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー分解能 ,  電流 ,  気相 ,  *放射線検出器 ,  結晶構造 ,  *半導体 ,  *結晶 ,  *結晶成長 ,  熱応力 ,  *半導体放射線検出器 ,  純度
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  *臭化タリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A2Bridgman法 ,  A2エッジ定義された膜は成長を与えた ,  A2Czochralski法 ,  A2気相からの成長 ,  B3放射線検出器 ,  B1ハロゲン化タリウム

分類 (3件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 臭化タリウム ,  半導体放射線検出器 ,  結晶成長