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J-GLOBAL ID:201802278351992921   整理番号:18A0968482

準一次元層状半導体TiS_3(001)のバンド構造【JST・京大機械翻訳】

The band structure of the quasi-one-dimensional layered semiconductor TiS3(001)
著者 (11件):
資料名:
巻: 112  号:ページ: 052102-052102-4  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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運動量分解能ナノスポット角度分解光電子放出によるTiS_3(001)のバンド構造の実験的マッピングを示した。角度分解光電子放出から導いた実験バンド構造は,価電子帯の上部がBrillouin帯の中心にあることを確認した。この三ハロゲン化物は,鎖方向に沿った有効正孔質量が-0.95±0.09m_eである矩形表面Brillouin帯を有し,一方,鎖方向に対して垂直で,有効正孔質量の大きさは-0.37±0.1m_eで非常に低かった。Fermi準位より低い価電子帯の配置は,これがn型半導体であることを示唆している。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (2件):
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