文献

J-GLOBAL ID：201802278351992921   整理番号：18A0968482

準一次元層状半導体TiS_3(001)のバンド構造【JST・京大機械翻訳】

The band structure of the quasi-one-dimensional layered semiconductor TiS₃(001)

著者 (11件)： Yi Hemian (Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France) ,  Komesu Takashi (Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA) ,  Gilbert Simeon (Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA) ,  Hao Guanhua (Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA) ,  Yost Andrew J. (Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA) ,  Lipatov Alexey (Department of Chemistry, University of Nebraska, Hamilton Hall 629, Lincoln, Nebraska 68588-0304, USA) ,  Sinitskii Alexander (Department of Chemistry, University of Nebraska, Hamilton Hall 629, Lincoln, Nebraska 68588-0304, USA) ,  Avila Jose (Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France) ,  Chen Chaoyu (Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France) ,  Asensio Maria C. (Synchrotron SOLEIL and Universite Paris-Saclay, L’Orme des Merisiers, BP48, 91190 Saint-Aubin, France) ,  Dowben P. A. (Department of Physics and Astronomy and Nebraska Center of Materials and Nanoscience, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588-0299, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 5  ページ： 052102-052102-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 運動量分解能ナノスポット角度分解光電子放出によるTiS_3(001)のバンド構造の実験的マッピングを示した。角度分解光電子放出から導いた実験バンド構造は,価電子帯の上部がBrillouin帯の中心にあることを確認した。この三ハロゲン化物は,鎖方向に沿った有効正孔質量が-0.95±0.09m_eである矩形表面Brillouin帯を有し,一方,鎖方向に対して垂直で,有効正孔質量の大きさは-0.37±0.1m_eで非常に低かった。Fermi準位より低い価電子帯の配置は,これがn型半導体であることを示唆している。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： N型半導体 ,  価電子バンド ,  分解能 ,  三ハロゲン化物 ,  *バンド構造 ,  Fermi準位 ,  正孔 ,  Brillouin帯 ,  光電子放出 ,  *半導体 ,  運動量
準シソーラス用語： *準一次元 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 層状 ,  バンド構造