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J-GLOBAL ID：201802278545185794   整理番号：18A1993925

Agナノクラスタ表面官能化により誘起された2D黒リンにおける異常近赤外吸収【JST・京大機械翻訳】

Abnormal Near-Infrared Absorption in 2D Black Phosphorus Induced by Ag Nanoclusters Surface Functionalization

著者 (28件)： Hu Zehua (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Hu Zehua (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, 117543, Singapore) ,  Hu Zehua (Center for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Li Qiang (School of Physics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Lei Bo (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Lei Bo (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, 117543, Singapore) ,  Lei Bo (Center for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Wu Jing (Center for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Wu Jing (Institute of Materials Research and Engineering, 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore, 138634, Singapore) ,  Zhou Qionghua (School of Physics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Gu Chengding (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, 117543, Singapore) ,  Wen Xinglin (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Wang Junyong (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Wang Junyong (Center for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Liu Yanpeng (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, 117543, Singapore) ,  Li Shisheng (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba, 305-0044, Japan) ,  Zheng Yue (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Zheng Yue (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, 117543, Singapore) ,  Zheng Yue (Center for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Lu Junpeng (School of Physics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  He Jun (School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Wang Li (Institute for Advanced Study and Department of Physics, Nanchang University, Nanchang, 330031, P. R. China) ,  Xiong Qihua (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore) ,  Wang Jinlan (School of Physics, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Chen Wei (Department of Physics, National University of Singapore, Singapore, 117542, Singapore) ,  Chen Wei (Department of Chemistry, National University of Singapore, Singapore, 117543, Singapore) ,  Chen Wei (Center for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Chen Wei (National University of Singapore (Suzhou) Research Institute, Su Zhou, 215123, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 43  ページ： e1801931  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速に出現する2D材料としての黒リン(BP)は,その比較的小さい直接厚さ依存性バンドギャップにより近赤外(NIR)光検出において有望な可能性を示す。しかし,原子的に薄い性質によるNIR吸収の悪さは,実用化を強く妨げている。本研究では,2D BP上でのAgナノクラスタの表面官能化が約746nmで異常なNIR吸収を誘起し,BPベース電界効果トランジスタに対する808(730)nm NIR光応答の約35(138)倍の増強をもたらすことを実証した。第一原理計算は,局在化バンドがBPのバンドギャップに導入され,中間ギャップ状態として働き,BPの伝導帯への新しい遷移を生成し,最終的に異常な吸収をもたらすことを明らかにした。本研究は,BPのNIR吸収を劇的に増加させるための簡単ではあるが効果的な方法を提供し,それは高性能NIRオプトエレクトロニック素子の開発に重要である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  *二次元 ,  *黒リン ,  高速度 ,  *近赤外線 ,  バンドギャップ ,  *ナノクラスタ ,  *銀 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  ミッドギャップ ,  局在化 ,  第一原理計算 ,  光応答 ,  *表面官能化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 黒リン ,  密度汎関数理論 ,  マイクロ吸収スペクトル ,  光電流 ,  表面官能化

分類 (5件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  塩  (CD01050V) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ag ,  ナノクラスタ ,  表面官能化 ,  誘起 ,  2D ,  黒リン ,  近赤外吸収