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J-GLOBAL ID:201802278926132155   整理番号:18A0838263

電子ビーム蒸着により作製したナノ構造ZnSe/ZnS多層薄膜の光ルミネセンスに及ぼす厚さとアニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of thickness and annealing on photoluminescence of nanostructured ZnSe/ZnS multilayer thin films prepared by electron beam evaporation
著者 (7件):
資料名:
巻: 199  ページ: 34-38  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0731A  ISSN: 0022-2313  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,電子ビーム蒸着法によりシリコン基板上にナノ構造ZnSe/ZnS多層薄膜を作製した。このヘテロ構造はZnSeとZnSの特性を利用し,ZnSeとZnSはそれぞれ発光と不動態化層として作用する。ルミネセンス性能を高めるために,ZnSとZnSe膜の最適厚さとアニーリング条件を調べた。N_2中で100分間660°Cでアニールした3.5nm ZnSeと15nm ZnSを有するナノ構造膜が最適条件であることが分かった。さらに,膜の結晶構造と表面形態を特性化し,それは顕著な青色発光を示した。最適化された膜で達成された優れた青色発光は,ナノ構造ZnSe/ZnS多層膜が新しいルミネセンス材料として使用できることを示している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 

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