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J-GLOBAL ID：201802279581297658   整理番号：18A0794919

SnインターカレーションによるH-BN/Rh(111)ナノメッシュの電子構造の平坦化と操作【JST・京大機械翻訳】

Flattening and manipulation of the electronic structure of h-BN/Rh(111) nanomesh upon Sn intercalation

著者 (7件)： Sugiyama Yuya (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Bernard Carlo (Physik-Institut, Universitaet Zuerich, Winterthurerstrasse, 190, Zuerich CH-8057, Switzerland) ,  Okuyama Yuma (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Ideta Shin-ichiro (UVSOR Facility, Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan) ,  Tanaka Kiyohisa (UVSOR Facility, Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan) ,  Greber Thomas (Physik-Institut, Universitaet Zuerich, Winterthurerstrasse, 190, Zuerich CH-8057, Switzerland) ,  Hirahara Toru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 672-673  ページ： 33-38  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Rh(111)上に形成された波形六方晶窒化ホウ素(h-BN)ナノメッシュ上にSnを堆積させ,Sn原子がh-BNとRhの間にインターカレーションされ,h-BNを平坦化することを見出した。著者らの反射高エネルギー電子回折(RHEED)分析は,h-BNの平均面内格子定数がコルゲーションの損失のために増加することを示した。さらに,角度分解光電子分光法(ARPES)に基づく電子構造測定により,h-BNπバンド幅は著しく増加するが,σバンド幅はあまり変化しないことを示した。これらの挙動は,h-BN/Rh系のインターカレーションに関する以前の報告とは部分的に異なっていた。著者らの結果は,h-BNの電子構造を制御するための新しい簡単な方法を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電子構造 ,  RHEED ,  *ロジウム ,  *インターカレーション ,  格子定数 ,  帯域幅 ,  *スズ
準シソーラス用語： ARPES ,  六方晶窒化ホウ素 ,  *平坦化 ,  *ナノメッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 二次元材料 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  インタカレーション

分類 (2件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Sn ,  インターカレーション ,  h-BN ,  Rh ,  ナノメッシュ ,  電子構造 ,  平坦化