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J-GLOBAL ID：201802279938505729   整理番号：18A0932926

改良された電気化学的性能のためのSILAR合成NiO薄膜に及ぼす浸漬サイクルの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of dipping cycle on SILAR synthesized NiO thin film for improved electrochemical performance

著者 (6件)： Das Mahima Ranjan (Department of Physics, The University of Burdwan, Burdwan, 713104, India) ,  Roy Atanu (Department of Instrumentation Science, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India) ,  Mpelane Siyasanga (Department of Chemistry, Johannesburg University, Johannesburg, 2006, South Africa) ,  Mukherjee Ayan (Department of Physics, RRS College, Mokama, Patna, 803302, India) ,  Mitra Partha (Department of Physics, The University of Burdwan, Burdwan, 713104, India) ,  Das Sachindranath (Department of Instrumentation Science, Jadavpur University, Kolkata, 700032, India)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 273  ページ： 105-114  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NiO薄膜を,簡単で,費用対効果が良く,低温湿式化学プロセスである逐次イオン層吸収と反応(SILAR)技術により,首尾よく合成した。構造及び形態特性に及ぼす堆積サイクルの影響をXRD及びFESEMを用いて調べた。表面形態研究は,電解質イオンに対してより活性なサイトと堆積経路を提供する高度に多孔質なネットワークの形成を示した。NiO薄膜ベースの電極は,40回の堆積サイクルで堆積した膜に対して,2mV~-1の電圧走査速度で1341Fg(-1)の最も高い比静電容量を提供した。NiO電極の充電-放電曲線から,40の堆積サイクルで堆積した膜に対して,電流1Ag~(-1)で877Fg-1の比静電容量値が観察された。それは64.8WhKg(-1)の最も高い比エネルギーを示した。NiO電極は1000サイクル後に90%の容量保持率で長期サイクル安定性を示した。形成された電極のこのような魅力的な電気化学的性能は,商業的応用のための良好な品質のスーパーキャパシタの製造に適している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  多孔性 ,  *薄膜 ,  電解質 ,  充電 ,  イオン ,  電圧
準シソーラス用語： スーパーキャパシタ ,  比エネルギー ,  比静電容量 ,  走査速度 ,  表面形態 ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  費用対効果 ,  *電気化学的性能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： サイクリックボルタンメトリー ,  GCD ,  インピーダンス解析 ,  NiO薄膜 ,  SILAR

分類 (2件)： 静電機器  (NB10020R) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学的性能 ,  薄膜 ,  浸漬 ,  サイクル