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J-GLOBAL ID：201802280130086977   整理番号：18A0912196

ウルツ鉱型GaNにおける(a+c)型転位解離の原子スケール研究

Atomic-scale studies of (a + c)-type dislocation dissociation in wurtzite GaN

著者 (4件)： XIONG Huan (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  XIONG Huan (Sino Nitride Semiconductor Co., Ltd., Dongguan, CHN) ,  WU Jiejun (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  FANG Zhilai (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 2  ページ： 025502.1-025502.4  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型GaNの様々なコア構造の(a+c)型転位について原子論的モデリングとシミュレーションを行った。GaN中の転位コア周辺の原子スケールの応力分布を,大規模な原子/分子超並列シミュレータを用いて初めて計算した。理論的には,5/6原子の二重環構造は安定であるが,5/7原子環構造は自然に解離することが確認された。5/7原子環構造を有する(a+c)型転位の解離は,本来的に,転位核周辺の不純物の代わりに,局所原子応力の異方性に起因した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ウルツ鉱型結晶 ,  *窒化ガリウム ,  *転位【結晶】 ,  コア構造 ,  *計算機シミュレーション ,  解離 ,  応力分布 ,  超並列処理 ,  長さ
準シソーラス用語： *格子転位 ,  原子スケール

分類 (2件)： 無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (19件)：

• J. Elsner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, Th. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Öberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
• L. Lymperakis, J. Neugebauer, M. Albrecht, T. Remmele, and H. P. Strunk, Phys. Rev. Lett. 93, 196401 (2004).
• C. L. Chen, Z. C. Wang, T. Kato, N. Shibata, T. Taniguchi, and Y. Ikuhara, Nat. Commun. 6, 6327 (2015).
• I. Arslan, A. Bleloch, E. A. Stach, and N. D. Browning, Phys. Rev. Lett. 94, 025504 (2005).
• S. K. Rhode, M. K. Horton, M. J. Kappers, S. Zhang, C. J. Humphreys, R. O. Dusane, S.-L. Sahonta, and M. A. Moram, Phys. Rev. Lett. 111, 025502 (2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： ウルツ鉱 ,  GaN ,  型 ,  転位 ,  解離 ,  原子スケール ,  研究