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J-GLOBAL ID：201802280274469372   整理番号：18A0401381

強化されたアナログ性能のためのG S/Dアンダーラップの研究とNQS小信号モデルを用いたUTB InAs OI Si MOSFETのRF/circuit解析【Powered by NICT】

Study of G-S/D underlap for enhanced analog performance and RF/circuit analysis of UTB InAs-OI-Si MOSFET using NQS small signal model

著者 (2件)： Maity Subir Kumar (School of Electronics Engineering, KIIT University, Bhubaneswar, 751024, India) ,  Pandit Soumya (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, Kolkata, 700009, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 101  ページ： 362-372  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs(とその変異体)は,その優れたキャリア輸送特性のために高速,低電力CMOS応用のための有望なチャネル材料であると思われる。しかし,このを使用したMOSトランジスタは貧弱な静電完全性に悩まされている。本研究では,著者らは,下にはみ出して重なる超薄体(UTB)InAs上の絶縁体nチャネルMOSトランジスタを考察し,素子のアナログ性能に対するゲート-ソース/ドレイン(G S/D)アンダーラップ長を変える技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションの助け,のないSchrodinger-Poissonソルバと実験結果と較正の効果を研究した。アンダーラップ技術はアナログ性能を改善するゲート静電完全性を改善した。RF性能の研究に使用されるデバイスの非準静的(NQS)小信号等価回路モデルを開発した。アンダーラップ長さの増加に伴い,単位利得カットオフ周波数が低下すると最大発振周波数は,下にはみ出して重なる長さのある値を越えると改善された。NQSモデルを用いた共通ソース増幅器の利得-周波数応答を研究し,SPICEシミュレーションと電圧利得と利得帯域幅を改善することを観測した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 完全性 ,  シミュレーション ,  遮断周波数 ,  *ヒ化インジウム ,  *アナログ系 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  チャネル ,  利得 ,  増幅器 ,  CAD【計算機】 ,  周波数応答 ,  高速度 ,  帯域幅
準シソーラス用語： TCAD ,  *小信号モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： InAs OI ,  静電完全性 ,  ゲートアンダーラップ ,  NQSモデル ,  アナログ/RF性能 ,  回路解析

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 強化 ,  アナログ ,  ラップ ,  研究 ,  小信号モデル ,  InAs ,  Si ,  MOSFET ,  RF ,  解析