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J-GLOBAL ID：201802280279598625   整理番号：18A2042348

表面ポテンシャル理論に基づくSiC VDMOSFETの連続コンパクトモデル【JST・京大機械翻訳】

Continuous Compact Model of a SiC VDMOSFET Based on Surface Potential Theory

著者 (4件)： Jaeger Beat (ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland) ,  Ju Yan Rui (ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland) ,  Stark Roger (ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland) ,  Grossner Ulrike (ETH Zurich, Advanced Power Semiconductor Laboratory; Physikstrasse 3, Zurich, 8092, Switzerland)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 786-789  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の高速で正確なコンパクトモデルは,SiCパワー集積回路の開発と最適化のために必要である。本論文は,垂直SiC MOSFETのための新しい物理ベースのコンパクトモデルを提示した。提案したモデルは,重要な材料と幾何学効果を考慮して,表面ポテンシャルを反復的に計算することにより,デバイス特性を正確にシミュレートすることができる。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 幾何学 ,  高速度 ,  電力トランジスタ ,  電荷 ,  最適化 ,  *炭化ケイ素 ,  *表面電位
準シソーラス用語： 界面トラップ ,  デバイス特性 ,  SiC MOSFET ,  パワーIC ,  *コンパクトモデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 表面電位 ,  連続モデル ,  炭化ケイ素(SiC) ,  VDMOSFET ,  コンパクトモデル ,  界面トラップ ,  電荷ベース ,  準Fermiポテンシャル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ポテンシャル理論 ,  SiC ,  コンパクトモデル