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J-GLOBAL ID：201802280329362480   整理番号：18A0588571

超急勾配サブ閾値傾斜PN体のゲート制御ダイオード特性は高効率RFエネルギーハーベスティングのためのSOI-FETの関連【Powered by NICT】

Gate controlled diode characteristics of super steep subthreshold slope PN-body tied SOI-FET for high efficiency RF energy harvesting

著者 (10件)： Momose Shun (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Ida Jiro (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Mori Takayuki (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Yoshida Takahiro (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Iwata Jumpei (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Horii Takashi (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Furuta Takahiro (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Itoh Kenji (Division of Electrical Engineering, Kanazawa Institute of Technology, 7-1 Ohgigaoka, Nonoichi, Ishikawa 921-8501 Japan) ,  Ishibashi Koichiro (The University of Electro-Communications, Tokyo Japan) ,  Arai Yasuo (High Energy Accelerator Research Org., KEK, Tsukuba Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： S3S  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たに提案した超急峻なサブしきい値勾配(SS)「PNボディ連結SOI-FET」によるゲート制御ダイオード(GCD)特性は,従来のダイオードと比較して,初めて,示した。は,50mVの超低電圧範囲でも超急峻な特性,低漏れ電流及び鋭いについて特性を示した。簡単な回路シミュレーションも「PNボディ連結SOI-FET」とGCDはRFエネルギーハーベスティングの超低入力パワーに及ぼす高効率整流を達成するであろうことを示した。さらに,零電流の電圧のわずかなシフトがこのGCDに対する特異的特性であることを確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ダイオード ,  電圧 ,  電流 ,  整流 ,  漏れ電流 ,  回路シミュレーション
準シソーラス用語： 低電圧 ,  *エネルギーハーベスティング ,  *高効率 ,  *ダイオード特性 ,  *ゲート制御 ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： アンテナ  (ND06000M) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  その他の発電  (NB03140M)

タイトルに関連する用語 (9件)： 急勾配 ,  サブ閾値 ,  PN ,  ゲート制御 ,  ダイオード特性 ,  高効率 ,  RFエネルギーハーベスティング ,  SOI ,  FET