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J-GLOBAL ID:201802280440377638   整理番号:18A0477307

制御可能な利得を持つペロブスカイト型光検出器におけるトラップされた電子誘起正孔注入【Powered by NICT】

Trapped-Electron-Induced Hole Injection in Perovskite Photodetector with Controllable Gain
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: ROMBUNNO.201701189  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2486A  ISSN: 2195-1071  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ペロブスカイトは優れた感光性材料であるが,トラップ状態の欠如による層状光検出器の光伝導利得を提供する欠点を示した。ペロブスカイト光検出器は,[6,6]-フェニルC_61酪酸メチルエステル(PCBM)のトラップされた電子誘導正孔注入構造を設計することにより制御可能な光伝導利得を用いて作製した:2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(F4-TCNQ)/Bathocuproine/Au。F4-TCNQによる深いトラップ状態はペロブスカイト,正孔注入障壁はトンネルを通して,正孔注入を可能にし,利得を形成するのに十分な薄させるから光発生した電子を捕捉することができる。一方,利得はPCBM:F4-TCNQ二重機能層の電子捕獲と正孔輸送能力を調整すること,同時に光伝導に光起電力からの素子の移行を実現することにより制御可能であった。このように作製した素子は, 1Vの低バイアスで6×10~4%の高い外部量子効率を達成し,同時に暗状態での整流挙動を維持し,約1×10~15Jonesの検出感度を提供した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  光伝導,光起電力 

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