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J-GLOBAL ID：201802280701486990   整理番号：18A0478404

ポリ(3-ヘキシルチオフェン)-炭素ナノチューブ複合膜におけるバイポーラ抵抗スイッチングと不揮発性メモリ効果【Powered by NICT】

Bipolar resistive switching and nonvolatile memory effect in poly (3-hexylthiophene) -carbon nanotube composite films

著者 (4件)： Chaudhary Deepti (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Munjal Sandeep (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Khare Neeraj (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India) ,  Vankar V.D. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi 110016, India)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 130  ページ： 553-558  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチング挙動と不揮発性メモリ効果はポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)とカーボンナノチューブ(CNT)複合材料薄膜で調べた。FTO/P3HT CNT/Al構造を用いたメモリ素子は,複合材料中のCNT含有量を変えることにより作製した。P3HTにおける4%CNTを用いたメモリ素子は,セット電圧~1.8Vと高いオン/オフ比>10~2の典型的なバイポーラ抵抗スイッチングを示した。素子の不揮発性挙動は保持試験により検討し,>10~3sの良好な保持特性を示した。異なる抵抗状態の抵抗-温度依存性も調べた。低バイアス領域で支配的な伝導機構であることが分かったオーミック伝導が,高電圧領域空間電荷制限伝導が支配的電流伝導機構であることが分かった。ナノ複合材料膜のバイポーラ抵抗スイッチング特性は破壊と生成炭素フィラメントのに基づいて説明した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  *複合膜 ,  薄膜 ,  *カーボンナノチューブ ,  フィラメント ,  温度依存性 ,  保持容量 ,  電圧 ,  *不揮発性メモリ ,  ナノ複合材料 ,  *非揮発性
準シソーラス用語： 空間電荷制限伝導 ,  伝導機構 ,  *抵抗スイッチング ,  *バイポーラ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CNT ,  P3HT ,  抵抗スイッチング ,  不揮発性メモリ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素ナノチューブ ,  複合膜 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング ,  不揮発性 ,  メモリ効果