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J-GLOBAL ID：201802280720357843   整理番号：18A1942058

ナノ秒レーザ修飾シリコンに基づくNIR光検出器【JST・京大機械翻訳】

NIR Photodetector Based on Nanosecond Laser-Modified Silicon

著者 (6件)： Zhao Ji-Hong (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China) ,  Li Chun-Hao (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China) ,  Li Xian-Bin (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China) ,  Chen Qi-Dai (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China) ,  Chen Zhan-Guo (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China) ,  Sun Hong-Bo (State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 11  ページ： 4905-4909  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴン雰囲気中でナノ秒レーザパルスを用いて結晶シリコン(Si)表面を修飾した。レーザ改質Si(M-Si)試料は,従来のSiよりも広帯域(400~2400nm)でより高い性能と熱安定吸収を有していた。M-Si層中のキャリア電子の濃度はSi基板のキャリア濃度より少なくとも5桁大きい。M-Si層とSi基板の間に形成されたN+-N結合を用いて,可視および近赤外(VIS-NIR)M-Si光検出器を作製した。N+-N-フォトダイオードは良好な整流特性を有し,1310nmにおいてサブバンドギャップNIR光に対して高い光応答を示した。同時に,低い逆バイアスでのM-Si光検出器は,バンドギャップより上のVIS-NIR光への大きな利得を示した。900と1310nmの光に対するM-Si光検出器の応答時間を比較することによって,光子上のバンドギャップエネルギーに対する素子の応答速度はより速かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光検出器 ,  パルス ,  *レーザ ,  近赤外線 ,  光子 ,  *ケイ素 ,  広帯域 ,  利得 ,  整流 ,  バンドギャップ ,  フォトダイオード ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  シリコンウエハ ,  *ナノ秒レーザ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ秒レーザ ,  修飾 ,  シリコン ,  検出器