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J-GLOBAL ID：201802280732042642   整理番号：18A2042324

1.2kV 4H-SiCスプリットゲートパワーMOSFET 解析と実験結果【JST・京大機械翻訳】

1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Power MOSFET: Analysis and Experimental Results

著者 (3件)： Han Ki Jeong (North Carolina State University, Power America Institute; NY, USA, 12203) ,  Baliga B. Jayant (North Carolina State University, Power America Institute; NY, USA, 12203) ,  Sung Woong Je (North Carolina State University, Power America Institute; NY, USA, 12203)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 924  ページ： 684-688  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,優れた高周波性能指数(HF-FOM)を有する1.2kV定格4H-SiCスプリットゲートパワーMOSFET(SG-MOSFET)を提示した。6インチSiCウエハ上に作製した素子から逆転写容量とゲートからドレイン電荷を含む電気特性を測定し,優れた性能を実証した。従来のMOSFETと比較して,SG-MOSFETは,約7x小さいHF-FOM[R_onxC_gd]と2x小さいHF-FOM[R_onxQ_gd]を,改善された逆転送容量とゲートからドレインへの電荷を提供する。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  性能指数 ,  *MOSFET ,  電気特性 ,  HF【周波数】 ,  *炭化ケイ素 ,  定格
準シソーラス用語： *パワーMOSFET ,  *スプリットゲート ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 4H-SiC ,  炭化ケイ素(SiC) ,  MOSFET ,  ゲート電荷 ,  分割ゲート ,  テラス付きゲート ,  逆転写容量 ,  高周波FOM

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  スプリットゲート ,  パワーMOSFET ,  解析 ,  実験結果