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J-GLOBAL ID：201802280772289061   整理番号：18A0973525

ALD窒化チタンバッファ層の挿入によるHfO_xベースRRAMデバイス変動の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of HfO_x-Based RRAM Device Variation by Inserting ALD TiN Buffer Layer

著者 (7件)： Fang Yichen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yu Zhizhen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Zongwei (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Teng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yang Yuchao (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Cai Yimao (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Huang Ru (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 6  ページ： 819-822  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このレターでは,HfO_xベースRRAMデバイスの高/低状態における形成電圧変化と抵抗分散を含む酸素除去金属(Ti)によって導入された影響を研究した。実験に基づいて,物理蒸着過程の間のTi原子は,HfO_xのバルクにランダムに侵入し,初期の酸素空孔をランダムに作り出し,その結果,性能劣化を引き起こすと結論した。さらに,酸素消去TiとHfO_x層の間に挿入した原子層堆積TiNバッファ層を有する新しい構造を提案し,Ti侵入の影響を低減することを実験的に実証した。これはさらに空孔生成アプローチを改善する。TiNバッファ層を組み込むことにより,成形電圧と抵抗のようなスイッチングパラメータの均一性が効果的に改善されることを実験的に検証した。酸化物ベースの抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)における酸素消去金属によって引き起こされるデバイスの変化の理解と改善は,高信頼性RRAM技術のさらなる開発に有用である。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電圧変動 ,  脱酸素 ,  酸素 ,  物理蒸着 ,  *バッファ層 ,  チタン ,  酸化物
準シソーラス用語： 高信頼性 ,  侵入 ,  窒化チタン ,  性能劣化 ,  酸素空格子点 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ALD ,  窒化チタン ,  バッファ層 ,  RRAM