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J-GLOBAL ID:201802280817453252   整理番号:18A0776540

低Zおよび希ガス種によるディスラプション後のアバランシェ逃走電子の発生の解析

Analysis of Avalanche Runaway Generation after Disruptions with Low-Z and Noble Gas Species
著者 (2件):
資料名:
巻: 12  ページ: 1403032(J-STAGE)  発行年: 2017年 
JST資料番号: U0045A  ISSN: 1880-6821  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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逃走電子発生に及ぼす不純物の影響をゼロ次元ディスラプションシミュレーションコードを用いて研究した。高速電子と部分的に電離したイオン間の衝突を記述するために,Coulomb対数の電荷分解表式を用いた。随伴Fokker-Planck法を用いたアバランシェ成長速度の数値解析を,2つの既存の半解析モデルと比較し,(i)Rosenbluth-Putvinski(R-P)モデルの強い電場極限への成長速度の収束と(ii)中間的電場に対する二次衝突拡散の効果の相殺を示した。開発した電流クエンチ(CQ)シミュレーションを用いて,低Zおよび希ガス種の存在下での強いアバランシェ増幅の開始を特徴付けるパワーバランス解析の助けを借りてパラメータ研究を行った。熱クエンチ(TQ)シミュレーションもホットテールシード電子の自己無撞着評価のために開発した。不純物中性粒子の堆積時間スケールは,前TQ温度と注入不純物密度に非単調に依存して,ホットテール種に著しい影響を及ぼすことを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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核融合装置  ,  プラズマ平衡・閉込め 
引用文献 (71件):
  • [1] M. Sugihara et al., Nucl. Fusion 47, 337 (2007).
  • [2] M. Lehnen et al., J. Nucl. Mater. 463, 39 (2015).
  • [3] E.M. Hollmann et al., Phys. Plasmas 22, 021802 (2015).
  • [4] Yu. A. Sokolov, JETP Lett. 29, 218 (1979).
  • [5] R. Jayakumar et al., Phys. Lett. A 172, 447 (1993).
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