Debehets J. について
Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 box 2450, 3001 Heverlee, Belgium について
Homm P. について
Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium について
Menghini M. について
Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium について
Chambers S.A. について
Physical and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, USA について
Marchiori C. について
IBM Research Zuerich, Saeumerstrasse 4, 8830 Rueschlikon, Switzerland について
Heyns M. について
Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 box 2450, 3001 Heverlee, Belgium について
Heyns M. について
IMEC vzw, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium について
Locquet J.P. について
Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium について
Seo J.W. について
Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 box 2450, 3001 Heverlee, Belgium について
Applied Surface Science について
ヒ化ガリウム について
ケイ素 について
コントラスト について
酸素 について
ヒ素 について
ドーピング について
電圧 について
Auger分光法 について
ピン止め について
P型半導体 について
Fermi準位 について
ガリウム について
蒸着 について
バンドギャップ について
表面組成 について
ピークシフト について
Auger電子分光 について
半導体表面 について
Fermiレベルシフト について
表面洗浄 について
試料技術 について
電子分光スペクトル について
表面の電子構造 について
Si について
GaAs について
Auger電子分光法 について
Fermi準位 について
シフト について