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J-GLOBAL ID：201802280854218848   整理番号：18A0526095

Si及びGaAs中のAuger電子分光法によるFermi準位シフトの検出【Powered by NICT】

Detecting Fermi-level shifts by Auger electron spectroscopy in Si and GaAs

著者 (9件)： Debehets J. (Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 box 2450, 3001 Heverlee, Belgium) ,  Homm P. (Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium) ,  Menghini M. (Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium) ,  Chambers S.A. (Physical and Computational Sciences Directorate, Pacific Northwest National Laboratory, Richland, USA) ,  Marchiori C. (IBM Research Zuerich, Saeumerstrasse 4, 8830 Rueschlikon, Switzerland) ,  Heyns M. (Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 box 2450, 3001 Heverlee, Belgium) ,  Heyns M. (IMEC vzw, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee, Belgium) ,  Locquet J.P. (Department of Physics and Astronomy, KU Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium) ,  Seo J.W. (Department of Materials Engineering, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 44 box 2450, 3001 Heverlee, Belgium)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 440  ページ： 386-395  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ドーピングと洗浄によるSiとGaAsの表面Fermi準位の変化をAuger電子分光法により調べた。Auger電圧コントラストに基づいて,Auger遷移ピークエネルギーがより正確な分析と改良されたピーク位置決定法を用いて高い精度を比較した。シリコンでは,0.46eVの大きなピークシフトは清浄化したp型及びn型ウエハ,Fermi準位における理論的な違いとかなり良く対応することを比較した場合,検出された。洗浄が適用されないならば,ピーク位置は両ウエハタイプ,バンドギャップにおけるFermi準位ピン止めを示すための有意差はなかった。GaAsに対して,ピークシフトは,不活性雰囲気(N_2ガス)におけるHFと(NH_4)2S溶液による洗浄後に検出された。N_2における(NH_4)2S洗浄は表面から酸素を除去するのに非常に効率的であるが,観測されたGaとAsのピークシフトはHF洗浄後に得られたものよりも小さかった。シフトの大きさは表面組成に関係していることを示した。(NH_4)2S洗浄表面上のSi蒸着後,Fermi準位は,受け取ったままのウエハで観察された同様の位置にシフトし,この組合せはGaAsのFermi準位をピン止めしないで成功しないことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ケイ素 ,  コントラスト ,  酸素 ,  *ヒ素 ,  ドーピング ,  電圧 ,  *Auger分光法 ,  ピン止め ,  P型半導体 ,  *Fermi準位 ,  *ガリウム ,  蒸着 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 表面組成 ,  ピークシフト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Auger電子分光 ,  半導体表面 ,  Fermiレベルシフト ,  表面洗浄

分類 (3件)： 試料技術  (BA02070O) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  GaAs ,  Auger電子分光法 ,  Fermi準位 ,  シフト