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J-GLOBAL ID：201802281100845274   整理番号：18A0860815

40nm TAOXに基づくRERAMの耐久性ストレスデータ保持故障の抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppression of endurance-stressed data-retention failures of 40nm TaOx-based ReRAM

著者 (5件)： Fukuyama Shouhei (Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, Japan) ,  Maeda Kazuki (Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, Japan) ,  Matsuda Shinpei (Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, Japan) ,  Takeuchi Ken (Department of Electrical, Electronic, and Communication Engineering, Chuo University, Tokyo, Japan) ,  Yasuhara Ryutaro (Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd., 1 Kotari-yakemachi, Nagaokakyo, Kyoto, 617-8520, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRPS  ページ： P-MY.4-1-P-MY.4-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,40nm TaOxベース抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)における異なるSet/リセット耐久サイクルと電圧の後のデータ保持特性を調べた。ReRAMセルの信頼性は低抵抗状態(LRS)におけるデータ保持時間に依存するが,高抵抗状態(HRS)のデータ保持時間は提案した新しい書込み法により改善される。データ保持時間が増加すると,LRSの電流分布は全体的にHRS側にシフトする。したがって,LRSにおけるデータ保持特性は,主要な電流分布の典型的なセルによって決定される。これらの現象は,尾部細胞がデータ保持時間を決定するNANDフラッシュメモリのそれらとは異なっており,末端-応力と保持-応力の両方の一貫した物理モデルを提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流分布 ,  信頼性 ,  *故障 ,  保持容量 ,  *耐久性 ,  電圧
準シソーラス用語： 物理モデル ,  NANDフラッシュ ,  *ReRAM ,  *データリテンション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ReRAM ,  ストレス ,  データ保持 ,  故障