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J-GLOBAL ID：201802281182879423   整理番号：18A0151043

歪補償Si_1 xC_xスペーサを有する積層Ge量子ドットの形成と歪解析【Powered by NICT】

Formation and Strain Analysis of Stacked Ge Quantum Dots With Strain-Compensating Si_1-xC_x Spacer

著者 (5件)： Itoh Yuhki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Itoh Yuhki (Division for International Advanced Research and Education (DIARE), Tohoku University, 6-3, Aza-Aoba, Aramai, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8578, Japan) ,  Itoh Yuhki (Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) Research Fellow for Young Scientists, Kojimachi Business Center Building, 5-3-1 Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0083, Japan) ,  Kawashima Tomoyuki (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Washio Katsuyoshi (Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 12  ページ： ROMBUNNO.201700197  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： QDの望ましくない拡大なしに多層構造中のGe量子ドット(QD)を積層するために,Si_1 xC_xスペーサ上のVolmer-Weber(VW)モードGe量子ドットの形成に埋め込まれたQDの歪補償にSi_1 xC_xスペーサとサブ単分子層(ML)炭素(C),両者の影響を調べた。Si_1 xC_x/Ge/Si(100)構造において,埋め込まれたQDの格子rexationはx=0~0.015で約80%を維持した。これはQD近傍で形成されるSi基板の表面上に成長させたSi_1 xC_x層から引張歪に起因する高緩和の状態を維持した。添加では,Kelvinプローブ力顕微鏡の解析を用いて,0.25ML以上の準ML-C媒介であるSi_1 xC_xスペーサ上のVWモードGe QDを形成するのに有効であることを明らかにした。これはC媒介によるQDの形成のための分割効果の促進はSi_1 xC_x表面にも有効であったからである。=0.25と0.5MLで,第二QDの直径と密度は約22nmと1.5×10~11cmであった~ 2であった。これらの結果は,QDの拡大のない多層構造におけるVWモードGe QDを積層への道を開いた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *スペーサ ,  緩和現象 ,  炭素 ,  多層構造 ,  *ゲルマニウム ,  単分子層 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： 引張歪 ,  シリコンウエハ ,  *歪解析 ,  *歪補償 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： エピタキシャル成長 ,  ゲルマニウム ,  IV族半導体 ,  量子ドット ,  歪補償

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪補償 ,  スペーサ ,  Ge ,  量子ドット ,  歪解析