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J-GLOBAL ID：201802281224708607   整理番号：18A0706599

先進成形プロセスによる優れた短チャネル効果免疫を持つ新しいGaA Siナノワイヤp-MOSFET【JST・京大機械翻訳】

Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process

著者 (15件)： Zhang Qinzhu (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Yin Huaxiang (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Meng Lingkuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Yao Jiaxin (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Junjie (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Wang Guilei (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Li Yudong (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wu Zhenhua (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Xiong Wenjuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Yang Hong (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Tu Hailing (State Key Laboratory of Advanced Materials for Smart Sensing, GRINM, Beijing, China) ,  Li Junfeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Wenwu (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, CAS, Beijing, China) ,  Ye Tianchun (Key Laboratory of Microelectronics Devices and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 4  ページ： 464-467  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,置換金属ゲート(RMG)において完全に分離されたチャネルを作製するための新しいアプローチを持つゲート-オール-ラウンド(GAA)ナノワイヤ(NW)p-MOSFETを初めて報告する。従来の高κ/メタルゲートFinFETフローに基づく改良フィン形成プロセスは,GAAデバイスを作製するために実装されている。円形および逆液滴のようなNWチャネルの2つのプロファイルを,RMGプロセスにおけるH_2ベーキングおよび酸化法により作製した。提案した方法は,プロセス熱収支を増加させ,NWチャネルの膜品質を改善する。構造的およびプロセス的利点の両方を提供して,L_g=16nmの最適化デバイスは,反転液滴NWデバイスに対して,SS=61.86$mV/decおよびDIBL=6.5mV/Vで,超短チャネル効果(SCE)免疫特性を実証した。これらの結果はMOSFETの理想限界に非常に近い。また,結果は,逆液滴NWデバイスが,類似の幾何学的サイズの円形NWよりもわずかに良好なSCE制御を有することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 品質 ,  *チャネル ,  *MOSFET ,  最適化 ,  熱収支 ,  *ナノワイヤ ,  *短チャネル効果 ,  液滴 ,  酸化 ,  フィン
準シソーラス用語： DIBL ,  FinFET ,  メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成形プロセス ,  短チャネル効果 ,  免疫 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  MOSFET