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J-GLOBAL ID：201802281291003626   整理番号：18A0696978

強磁場サイクロトロン共鳴によるGaN二次元電子系の有効質量の評価 II

Cyclotron resonance in AlGaN/GaN heterostructures at high magnetic fields: II

著者 (7件)： KINDOLE D. (NIMS) ,  KINDOLE D. (Hokkaido Univ.) ,  IMANAKA Y. (NIMS) ,  IMANAKA Y. (Hokkaido Univ.) ,  TAKEHANA K. (NIMS) ,  SANG L. (NIMS) ,  SUMIYA M. (NIMS)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 1  ページ： ROMBUNNO.23pPSA-28  発行年： 2018年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *サイクロトロン共鳴 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *有効質量 ,  電子-フォノン相互作用 ,  ポーラロン ,  強磁場 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムガリウム

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強磁場 ,  サイクロトロン共鳴 ,  GaN ,  二次元電子系 ,  有効質量 ,  評価