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J-GLOBAL ID：201802281292953910   整理番号：18A1770521

低温でシリコーン油とオゾンを用いて成長させた酸化けい素膜の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on Silicon Oxide Films Grown by Using Silicone Oil and Ozone at Low-Temperature

著者 (3件)： Ferdous Sanjida (Dept. of Applied Physics & Electronic Engineering, University of Rajshahi, Bangladesh) ,  Md. Ismail Abu Bakar (Dept. of Applied Physics & Electronic Engineering, University of Rajshahi, Bangladesh) ,  Horita Susumu (Japan Advanced Institute of Science and Technology, University in Nomi, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IC4ME2  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(≦200°C)で蒸着した高品質酸化ケイ素(SiO_2)膜は,ゲート誘電体材料,層間誘電体,金属間誘電体などのTFT(Thin Filmトランジスタ)に必要である。本研究では,SiO_2膜を,大気圧化学蒸着(APCVD)システムを用いて,200°Cの温度で,シリコーン油(SO)蒸気とオゾンガス(O_3)の間の化学反応により,シリコン基板上に成長させた。堆積したままおよびポストアニールしたSiO_2膜の化学構造を,Fourier変換赤外(FT-IR)分光法によって研究した。レーザ偏光解析法を用いて膜の厚さと屈折率を測定した。堆積したままの膜のFT-IRスペクトルは,文献で見出されたそれらのSiO_2膜と類似性を示した。しかし,Si-OH結合の2つの弱い吸収ピークの存在は,試料中に非常に少量の細孔が存在することを示唆している。膜のOH含有量は望ましくない漏れ電流を生じた。熱処理は膜のOH含有量を減少させ,漏れ電流を減少させた。実験結果は,APCVDシステムが低温でSO蒸気とオゾンガスを用いることによりSiO_2膜の成長の成功に使用できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  *低温 ,  トランジスタ ,  熱処理 ,  誘電体 ,  レーザ ,  化学反応 ,  *オゾン ,  酸化ケイ素 ,  スペクトル ,  漏れ電流 ,  *シリコーン油 ,  細孔 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  シリコーン油 ,  オゾン ,  成長 ,  酸化けい素膜 ,  研究