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J-GLOBAL ID：201802281310975361   整理番号：18A0821856

大面積CdTe/n+-Siエピタキシャル層ベースのヘテロ接合ダイオード型ガンマ線検出器アレイの開発【JST・京大機械翻訳】

Development of Large-Area CdTe/n⁺-Si Epitaxial Layer-Based Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detector Arrays

著者 (8件)： Niraula M. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Yasuda K. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Kojima M. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Kitagawa S. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Tsubota S. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Yamaguchi T. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Ozawa J. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan) ,  Agata Y. (Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65  号： 4  ページ： 1066-1069  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積単結晶CdTe層の成長を,有機金属気相エピタクシーを用いて25×25mm2(211)Si基板上で研究した。非常に良好な材料均一性を有する高結晶質厚結晶を得た。(20×20)画素からなる二次元モノリシック検出器アレイを開発し評価した。各画素は1.17mmピッチで1.12×1.12mm2サイズで,p-CdTe/n+-Siヘテロ接合ダイオード構造から成り,深い垂直カットを作ることにより周囲の画素から分離される。検出器アレイは非常に均一で低い暗電流を示し,50Vの印加逆バイアスにおいてピクセル当たり0.5μA/cm2以下であった。分光性能は,室温での~241Amガンマ同位体からのエネルギーピークを明瞭に分解するアレイからの小部分を決定することにより,別々に確認された。一方,検出特性の著しい改善が-30°Cに冷却することによって観察された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル化カドミウム ,  結晶 ,  *ヘテロ接合 ,  単結晶 ,  MOCVD ,  *検出器 ,  二次元 ,  *ダイオード ,  *γ線検出器 ,  暗電流 ,  画素
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  印加電圧 ,  シリコンウエハ ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (9件)： 大面積 ,  CdTe ,  Si ,  エピタキシャル層 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  ガンマ線検出器 ,  アレイ ,  開発