文献

J-GLOBAL ID：201802281566246620   整理番号：18A2242798

酸化物としてHfO₂を有するβ-Ga₂O₃系金属-酸化物-半導体フォトダイオード

β-Ga₂O₃-based metal-oxide-semiconductor photodiodes with HfO₂ as oxide

著者 (7件)： OSHIMA Takayoshi (Saga Univ., Saga, JPN) ,  HASHIKAWA Makoto (Saga Univ., Saga, JPN) ,  TOMIZAWA Sansei (Saga Univ., Saga, JPN) ,  MIKI Kazuho (Saga Univ., Saga, JPN) ,  OISHI Toshiyuki (Saga Univ., Saga, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp. & Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp. & Novel Crystal Technol., Inc., Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 11  ページ： 112202.1-112202.4  発行年： 2018年11月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物としてHfO₂を用いたβ-Ga₂O₃金属-酸化物-半導体(MOS)フォトダイオードを提案した。HfO₂/β-Ga₂O₃界面におけるβ-Ga₂O₃とタイプ-II型バンド配列よりもHfO₂のバンドギャップが大きいため,MOSフォトダイオードは,Schottkyフォトダイオードと比較して,ゼロ外部バイアス付近で254nm光に対して光応答性の低下をほとんど示さなかった。対照的に,MOSフォトダイオードの逆漏れ電流は,金属と半導体の間の見かけの障壁高さの増加により,Schottkyフォトダイオードと比較して実質的に減少した。MOSフォトダイオードのこれらの特徴は,p-n接合のないβ-Ga₂O₃ベースのアバランシェフォトダイオードの将来の開発に有益である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化物 ,  薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化ガリウム ,  *MOS構造 ,  化合物半導体 ,  *フォトダイオード ,  バンドギャップ ,  Schottky障壁ダイオード ,  応答特性 ,  漏れ電流 ,  高さ ,  アバランシェフォトダイオード
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  *二酸化ハフニウム ,  障壁高さ

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

引用文献 (34件)：

• E. Monroy, F. Omnès, and F. Calle, Semicond. Sci. Technol. 18, R33 (2003).
• Z. Alaie, S. Mohammad Nejad, and M. H. Yousefi, Mater. Sci. Semicond. Process. 29, 16 (2015).
• E. Muñoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, F. Omnès, and P. Gibart, J. Phys.: Condens. Matter 13, 7115 (2001).
• M. Liao, L. Sang, T. Teraji, M. Imura, J. Alvarez, and Y. Koide, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 090115 (2012).
• Y. Hou, Z. Mei, and X. Du, J. Phys. D 47, 283001 (2014).

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  HfO2 ,  β-Ga2O3 ,  フォトダイオード