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J-GLOBAL ID：201802281653035728   整理番号：18A0163789

EMI発生を減少させるためのSiC MOSFETの反復制御戦略【Powered by NICT】

Repetitive control strategy of SiC MOSFET to reduce EMI generation

著者 (3件)： Wang Yuchen (Beihang University, Beijing, China) ,  Ma Qishuang (Beihang University, Beijing, China) ,  Cui Tongkai (Beihang University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IECON  ページ： 1464-1469  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ材料から利益を炭化ケイ素(SiC)MOSFETは,シリコンデバイスと比較して著しい性能改善を提供する。しかし,高スイッチング速度は,パワースイッチングするEMIの源であった。EMI発生の抑制はスイッチング過渡現象を形成する「S形」にによって達成することができる。アクティブ電圧制御(AVC)戦略を基準電圧を追跡するためのスイッチング過渡現象を強制することによって,S形を達成するために実行可能な方法である。しかしより正確に参照を追跡するためにする必要があるいくつかの改良。SiC MOSFETのスイッチング過渡現象を制御するための反復制御戦略を提案した。繰返し制御ループは,周期的な参照を追跡する良好な精度のためのオリジナルなAVCシステムのプラグインである。最後に,シミュレーションにより,提案した制御系の安定性と精度を確認した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 制御系 ,  *MOSFET ,  電圧制御 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： プラグイン ,  繰返し制御 ,  基準電圧 ,  スイッチング過渡現象 ,  スイッチング速度 ,  シリコンチップ ,  ワイドバンドギャップ ,  *制御戦略 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： EMI ,  SiC ,  MOSFET ,  反復 ,  制御戦略