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J-GLOBAL ID：201802282192428542   整理番号：18A0994657

窒素ドープLaB₆底部接触電極を用いたn型ペンタセン系OFETの電子注入

Electron Injection of N-type Pentacene-Based OFET with Nitrogen-Doped LaB₆ Bottom-Contact Electrodes

著者 (3件)： MAEDA Yasutaka (Tokyo Institute of Technology) ,  HIROKI Mizuha (Tokyo Institute of Technology) ,  OHMI Shun-ichiro (Tokyo Institute of Technology)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E101.C  号： 5  ページ： 323-327(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,n型ペンタセン系有機電界効果トランジスタ(OFET)に及ぼす窒素ドープ(N-ドープ)LaB₆底部接触電極と界面層(IL)の効果を調べた。底面接触電極に対して縮小したOFETを,フォトリソグラフィーを用いて作製した。RFスパッタリングによりSiO₂/n⁺-Si(100)基板上に20nm厚NドープLaB₆底部接触電極を形成し,続いて室温(RT)で硫酸と過酸化水素混合物(SPM),希釈フッ化水素酸(DHF;1%HF)で表面処理を行った。次に,1.2nm厚NドープLaB₆ILをRTで堆積した。最後に,10nm厚のペンタセン膜を100°Cで堆積し,続いて熱蒸着を用いてAlバックゲート電極を形成した。表面処理とNドープLaB₆ILの効果により,電子注入電流を空気中で観察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ホウ化物 ,  *ランタン化合物 ,  *電極 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ドーピング ,  キャリア注入 ,  境界層 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： バックゲート ,  *ホウ化ランタン ,  *OFET ,  界面層 ,  *窒素ドープ ,  電子注入

著者キーワード (6件)： ペンタセン ,  Nドープ実験室 ,  OFET ,  底部接触電極 ,  表面処理 ,  電子注入

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (28件)：

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• [2] T.H. Park, Y.M. Kim, Y.W. Park, J.H. Choi, J.-W. Jeong, K.Y. Dong, K.C. Choi, and B.-K. Ju, “Micro-pixel array of organic light-emitting diodes applying imprinting technique with a polymer replica,” Appl. Phys. Lett., vol.95, no.9, 093301, 2009. 10.1063/1.3216051
• [3] W. Shi, J. Yu, W. Huang, X. Yu, and Y. Zheng, “Performance enhancement of poly(3-hexylthiophene) organic field-effect transistor by inserting poly(methylmethacrylate) buffer layer,” Appl. Phys. Lett., vol.102, no.11, 111607, 2013. 10.1063/1.4798368
• [4] J. Takeya, M. Yamagishi, Y. Tominari, R. Hirahara, Y. Nakazawa, T. Nishikawa, T. Kawase, T. Shimoda, and S. Ogawa, “Very high-mobility organic single-crystal transistors with in-crystal conduction channels,” Appl. Phys. Lett., vol.90, no.10, 102120, 2007. 10.1063/1.2711393
• [5] T. Yamamoto and K. Takimiya, “Facile Synthesis of Highly π-Extended Heteroarenes, Dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]halcogenopheno [3,2-b]chalcogenophenes, and Their Application to Field-Effect Transistors,” J. Am. Chem. Soc., vol.129, no.8, pp.2224-2225, 2007. 10.1021/ja068429z

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素ドープ ,  ペンタセン ,  OFET ,  電子注入