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J-GLOBAL ID：201802282471871132   整理番号：18A1510179

RF反応性スパッタリングにより蒸着したV2O5薄膜の点欠陥構造とガス検知特性【JST・京大機械翻訳】

Point Defect Structure and Gas Sensing Properties of V2O5 Thin Films Deposited by RF Reactive Sputtering

著者 (1件)： Schneider Krystyna (AGH Department of Electronics, University of Science and Techology Faculty of Computer Science, Electronics and Telecommunications, Krakow, Poland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： COE  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性Ar+O2雰囲気中でバナジウムとモザイクV-Tiからrfスパッタリングにより絶縁性担体(溶融シリカまたはアルミナ)上にV2O5非ドープおよびV2O5-Tiドープ薄膜を蒸着した。X線回折(XRD)と走査電子顕微鏡(SEM)を用いて,構造と相のキャラクタリゼーションを行った。電気的性質は,室温(RT)から620Kまでの温度と600Paから21kPaまでの酸素分圧において,インピーダンス分光法(0.1Hz~1.4MHz)によって決定した。研究した試料は,オーム抵抗器と非Debye定数相要素から成る等価回路によって特性化した。アンドープV2O5層はn型半導体挙動を示したが,V2O5-Tiドープはp型であった。V2O5ベース薄膜は水素のような可燃性ガスに対して良好な応答を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *点欠陥 ,  走査電子顕微鏡 ,  ドーピング ,  アルミナ ,  石英ガラス ,  *薄膜 ,  等価回路 ,  *反応性 ,  N型半導体 ,  キャラクタリゼーション ,  バナジウム ,  水素 ,  X線回折
準シソーラス用語： インピーダンス分光法 ,  酸素分圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 専用演算制御装置  (JC04030Y) ,  音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  反応性スパッタリング ,  蒸着 ,  薄膜 ,  点欠陥 ,  ガス検知