文献

J-GLOBAL ID：201802282848948686   整理番号：18A1315023

利得クランプ式850nm波長超放射発光ダイオード設計研究【JST・京大機械翻訳】

Development of Gain-clamped 850 nm Superluminescent Diode

著者 (10件)： Zhu Zixiang (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Zhang Jing (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Sun Chunming (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Qiao Zhongliang (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Gao Xin (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Bao Baoxue (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Li Hui (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Wang Xiantao (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Wei Zhipeng (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022) ,  Ma Xiaohui (長春理工大学高功率半導体激光国家重点実験室,吉林長春,130022)
資料名： Binggong Xuebao  (Binggong Xuebao)
巻： 39  号： 2  ページ： 325-330  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2399A  ISSN： 1000-1093  CODEN： BIXUD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 超放射発光ダイオードのスペクトル幅と光パワーを高めるために、エピタキシャルチップの能動領域の不均一井戸幅三量子井戸構造と導波路領域の非対称大光共振器構造を設計した。デバイス構造の設計において、利得クランプ理論を利用してデバイスの新しい構造を提案し、多波長利得クランプシステムを設計した。作製したデバイスのポンプ領域のリッジの長さは350μm、吸収区域は250μm、台幅5μm、台高1μm、動作電流160mAの時、室温連続出力は14である。この新しい構造設計は,デバイスの非中心波長を利得し,中心波長Fabry-Perot振動を抑制し,デバイス中心波長Fabry-Perot利得クランプを実現した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 導波路 ,  構造設計 ,  *発光ダイオード ,  活性部位 ,  *波長 ,  光共振器 ,  素子構造 ,  *利得 ,  非対称性 ,  電流 ,  量子井戸 ,  スペクトル ,  *超放射
準シソーラス用語： 多波長 ,  *利得クランプ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： superluminescent diode ,  gain clamping ,  nanorod ,  asymmetric waveguide structure

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 利得クランプ ,  超放射 ,  発光ダイオード ,  設計 ,  研究