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J-GLOBAL ID：201802283044554845   整理番号：18A0912170

アルミニウム誘起層交換によるシリコン-ゲルマニウムの結晶化

Crystallization of silicon-germanium by aluminum-induced layer exchange

著者 (3件)： ISOMURA Masao (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  YAJIMA Masahiro (Tokai Univ., Kanagawa, JPN) ,  NAKAMURA Isao (Tokyo Metropolitan Industrial Technol. Res. Inst., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 2  ページ： 025503.1-025503.5  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス/Al/酸化Al/a-SiGeの出発構造を持つアルミニウム(Al)誘起層交換(ALILE)による非晶質シリコン-ゲルマニウム(a-SiGe)の結晶化を研究した。ALILE時間を短くするために,GeとAlの共晶温度よりわずかに高い450°CでALILEを調べた。顕著な合金化なしに,(111)方向に16時間配向したc-SiGe膜を作製することに成功した。Al層の厚さは,2000~2800Åの厚さのa-SiGe層に対して,ALILEを完全にするために2800Åまたはそれ以上であるべきである。Al層がa-SiGe層と同じ厚さのときに,ほとんど均一なc-SiGeがガラス基板上に形成された。一方,c-SiGeの島は,Al層がa-SiGe層より厚いときには,ガラス基板上に形成される。島はより厚いAl層でより小さくなり,それはより過剰なAlがSiGe島間に残っているからである。その結果,c-SiGeの配置は,Alの厚さに対するa-SiGeの厚さの比を変えることによって均一な構造から種々のサイズの島状構造に変化することが分かる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  非晶質半導体 ,  結晶化 ,  アルミニウム ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  電気装置部品 ,  島状構造 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  パルスレーザ蒸着 ,  電気抵抗率 ,  熱起電力 ,  温度依存性 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： SEM-EDX ,  ガラス基板 ,  *ケイ化ゲルマニウム ,  層交換 ,  走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (34件)：

• J. Zhao, A. Wang, M. A. Green, and A. Perrazza, Appl. Phys. Lett. 73, 1991 (1998).
• W. P. Mulligan, D. H. Rose, M. J. Cudzinovic, D. M. De Ceuster, K. R. McIntosh, D. D. Smith, and R. M. Swanson, Proc. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conf., 2004, p. 387.
• K. Masuko, M. Shigematsu, T. Hashiguchi, D. Fujishima, M. Kai, N. Yoshimura, T. Yamaguchi, Y. Ichihashi, T. Mishima, N. Matsubara, T. Yamanishi, T. Takahama, M. Taguchi, E. Maruyama, and S. Okamoto, IEEE J. Photovoltaics 4, 1433 (2014).
• M. A. Green, Prog. Photovoltaics 9, 123 (2001).
• M. Isomura, K. Nakahata, M. Shima, S. Taira, K. Wakisaka, M. Tanaka, and S. Kiyama, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 74, 519 (2002).

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  誘起 ,  シリコン ,  ゲルマニウム ,  結晶化