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J-GLOBAL ID：201802283049398176   整理番号：18A0849751

酸化バナジウム薄膜の圧電抵抗特性の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of piezoresistive property of vanadium oxide thin film

著者 (4件)： Inomata Naoki (The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Van Toan Nguyen (The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Toda Masaya (The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan) ,  Ono Takahito (The Graduate School of Engineering, Tohoku University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： MEMS  ページ： 1044-1047  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化バナジウム(VOx)膜の圧電特性の評価を示した。VOx膜を堆積し,懸濁シリコン(Si)膜の端にピエゾ抵抗器としてパターン化した。従来の微細加工技術を用いて,VOx抵抗器,抵抗器に接続した電極パッド,および懸濁膜構造を作製した。VOx抵抗器の抵抗は膜が偏向すると変化する。膜の偏向は,それぞれの差圧(-0.02から-0.05まで-0.01MPaまで)に真空をかけることによって引き起こされ,白色光干渉計を用いて測定される。抵抗は歪が増加すると減少する。蒸着したVOxのゲージ因子は259であり,Siのような一般的な半導体材料よりも高い値である。MEMS/NEMS応用(歪ゲージ)のための集束材料としてのVOxの実現可能性を著者らの実験によって示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： パターン形成 ,  *薄膜 ,  MEMS ,  ケイ素 ,  半導体材料 ,  抵抗器 ,  歪計 ,  *酸化バナジウム ,  ゲージ ,  懸濁液 ,  膜構造 ,  NEMS ,  差圧 ,  *圧電抵抗
準シソーラス用語： 圧電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化バナジウム ,  薄膜 ,  圧電 ,  抵抗特性 ,  評価