文献

J-GLOBAL ID：201802283167251912   整理番号：18A0942133

SiGe HBTにおけるホットキャリア損傷誘起電流利得増強(CGE)効果【JST・京大機械翻訳】

Hot-Carrier-Damage-Induced Current Gain Enhancement (CGE) Effects in SiGe HBTs

著者 (9件)： Raghunathan Uppili S. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Martinez Rafael Perez (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Wier Brian R. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Omprakash Anup P. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Ying Hanbin (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Bantu Tikurete G. (Texas Instruments Incorporated, Dallas, TX, USA) ,  Yasuda Hiroshi (Texas Instruments Incorporated, Dallas, TX, USA) ,  Menz Philipp (Texas Instruments Deutschland Gmbh, Freising, Germany) ,  Cressler John D. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 6  ページ： 2430-2438  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電流応力機構を調べ,Augerホットキャリアがエミッタとベースの酸化物界面とポリシリコン領域の両方を損傷できることを実証した。新しい電流利得増強(CGE)効果を提案した。これはポリシリコンエミッタと外因性ベースへのホットキャリア損傷を含み,関連する少数キャリア移動度の劣化をもたらす。著者らは,動作の順方向および逆モードの下でSiGeHBTにおける異なるCGE機構を実証した。高注入におけるCGEの原因となるホットキャリア損傷を,TCADシミュレーションの助けを借りて深さにおいて調べた。この効果の証拠は,種々の応力条件,種々の技術,相補的(NPN+PNP)装置,およびdcとac測定からの良好な統計的有意性で集められている。本論文で提案した新しいポリシリコン劣化機構を一般化し,高注入におけるベース抵抗と電流利得(β)の変化を正確にモデル化するために重要である。そこでは,回路は典型的に最大素子性能を抽出するためにバイアスされる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  *ホットキャリア ,  キャリア移動度 ,  ポリシリコン ,  酸化物 ,  シミュレーション ,  界面
準シソーラス用語： 劣化機構 ,  統計的有意性 ,  TCAD ,  大電流 ,  *電流利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiGe ,  HBT ,  ホットキャリア ,  損傷 ,  誘起 ,  電流利得 ,  増強 ,  CGE