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J-GLOBAL ID：201802283221279512   整理番号：18A0924474

α-(Al_xGa_1-x)_2O_3バッファ層の導入によるサファイア基板上のGa_2O_3の結晶構造の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of Crystal Structure of Ga₂O₃ on Sapphire Substrate by Introduction of α-(Al_xGa_1-x)₂O₃ Buffer Layer

著者 (6件)： Jinno Riena (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Uchida Takayuki (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kaneko Kentaro (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kaneko Kentaro (Photonics and Electronics Science and Engineering Center, Kyoto University, Kyoto 615-8520, Japan) ,  Fujita Shizuo (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Fujita Shizuo (Photonics and Electronics Science and Engineering Center, Kyoto University, Kyoto 615-8520, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255  号： 4  ページ： e1700326  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニーリングされたα-(Al_0.4Ga_0.6)_2O_3バッファ層を導入して,サファイア基板上にα-Ga_2O_3またはε-Ga_2O_3成長を達成した。これは,ミスト化学蒸着法を用いて成長温度に依存した。透過型電子顕微鏡法により,ε-Ga_2O_3とα-(Al_0.4Ga_0.6)_2O_3バッファ層の間のエピタキシャル関係はε-Ga_2O_3[1010]||α-(Al_0.4Ga_0.6)_2O_3[110]であり,その結果,二つの六方格子は互いに30°のab面で回転することを明らかにした。バッファ層とε-Ga_2O_3の間の格子不整合は1.2%であるが,バッファ層とα-Ga_2O_3の間の格子不整合は2.2%である。成長温度が600°C以下では,格子不整合が小さいε-Ga_2O_3が生成した。一方,より高い温度はより長い拡散長をもたらし,原子はステップ端に達する。従って,バッファ層と同じ構造を持つα-Ga_2O_3は600°C以上のステップ端に沿って成長した。結果として,ε-Ga_2O_3およびα-Ga_2O_3は,それぞれ600°C以下およびそれ以上で成長した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼なまし ,  エピタクシー ,  化学蒸着 ,  *バッファ層 ,  ミスト ,  *結晶構造 ,  格子不整合 ,  拡散距離
準シソーラス用語： 六方格子 ,  透過型電子顕微鏡法 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 結晶成長 ,  酸化ガリウム ,  パワーデバイス ,  超広バンドギャップ材料

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： バッファ層 ,  サファイア基板 ,  結晶構造