19-1:招待論文:スパッタ非晶質タングステンドープ酸化インジウムベース薄膜トランジスタの安定性【JST・京大機械翻訳】

Zhang Qun; Yang Zhao; Qu Mingyue; Fu Ruofan; Liu Po-Tsun; Shieh Han-Ping D.

文献

J-GLOBAL ID：201802283264769484 整理番号：18A1378059

19-1:招待論文:スパッタ非晶質タングステンドープ酸化インジウムベース薄膜トランジスタの安定性【JST・京大機械翻訳】

19-1: Invited Paper: Stability of Sputtered Amorphous Tungsten-doped Indium Oxide Based Thin-Film Transistors

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著者 (6件)：

Zhang Qun

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(Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, 200433, China)

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Yang Zhao

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Qu Mingyue

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Fu Ruofan

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Liu Po-Tsun

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(Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsin-Chu, 30010, Taiwan)

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Shieh Han-Ping D.

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資料名：

Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display) (Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))

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巻： 49 号： 1 ページ： 225-227 発行年： 2018年
JST資料番号： E0907A ISSN： 0097-966X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

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異なる波長で照射し,異なる雰囲気でアニールした後に,スパッタした非晶質タングステンをドープした酸化インジウムベース薄膜トランジスタの安定性を調べた。それは,安定性が波長と照射時間に依存し,酸素,窒素または適切なアニーリング温度でアニールした後に改善できることを明らかにした。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語：

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