文献

J-GLOBAL ID：201802283297129023   整理番号：18A0826546

多層金属触媒膜を用いた選択性湿式SiエッチングによるSi貫通電極(TSV)孔構造の作製

著者 (5件)： 丹羽良輔 (関西大) ,  清水智弘 (関西大) ,  松村道雄 (関西大 先端科学技術推進機構) ,  伊藤健 (関西大) ,  新宮原正三 (関西大)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集(CD-ROM)
巻： 85th  ページ： ROMBUNNO.1U07  発行年： 2018年02月23日 
JST資料番号： Y0048B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウェットエッチング ,  *バイアホール ,  金属触媒 ,  *遷移金属触媒 ,  *チタン化合物 ,  薄膜 ,  多層膜 ,  スパッタリング ,  パターン形成 ,  X線光電子スペクトル ,  深さプロフィル ,  元素分析 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *Si貫通電極 ,  ケイ素基板 ,  *チタン触媒 ,  *金触媒 ,  湿式エッチング ,  単層膜

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  電解装置  (XE02030E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多層 ,  金属触媒膜 ,  選択性 ,  Siエッチング ,  Si貫通電極 ,  TSV ,  作製