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J-GLOBAL ID：201802283310315214   整理番号：18A0706408

同時紫外線と熱処理を用いた150°Cで作製した全スパッタ酸化物薄膜トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

All-sputtered oxide thin-film transistors fabricated at 150 °C using simultaneous ultraviolet and thermal treatment

著者 (6件)： Tak Young Jun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, 50 Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul 120-749, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Kim Si Joon ,  Kwon Sera ,  Kim Hee jun ,  Chung Kwun-Bum ,  Kim Hyun Jae
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 2  ページ： 249-256  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,スパッタしたゲート絶縁体の作製により,全スパッタIn-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)を報告した。さらに,同時UVと熱(SUT)処理を用いて,より高い量の配位酸素種と熱だけ(300°C)処理したゲート絶縁体よりも高い表面エネルギーをもつ150°Cの低温でスパッタ処理したゲート絶縁体を作製した。さらに,SUT処理を用いてIGZOチャネル層を活性化することにより,150°Cにおいて全スパッタ処理IGZO TFTを作製し,それらは熱のみ処理したものと比較して改善された素子性能を示した。電界効果移動度は7.32±3.8から29.59±2.5cm~2V-1s-1に増加し,オン/オフ比は(1.1±1.8)×10~5から(2.9±1.7)×10~8に増加し,サブ閾値スイングは1.0±0.07から0.4±0.05Vdec-1に減少した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  ゲート絶縁膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  *酸化物 ,  表面エネルギー ,  *紫外線
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  電界効果移動度 ,  チャネル層 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 紫外線 ,  熱処理 ,  作製 ,  スパッタ ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ