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J-GLOBAL ID:201802283452113745   整理番号:18A0840577

XRD-非晶質TiO_2薄膜の室温堆積:温度の関数としてのデバイス性能の研究【JST・京大機械翻訳】

Room temperature deposition of XRD-amorphous TiO2 thin films: Investigation of device performance as a function of temperature
著者 (6件):
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巻: 44  号: 10  ページ: 11582-11590  発行年: 2018年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,TiO_2薄膜を,6から出発する純粋なAr雰囲気中で室温で高周波スパッタリングにより作製した。TiO_2ターゲット。膜の厚さを蒸着時間によって制御し,TiO_2薄膜の特性に及ぼすArスパッタリング圧力の影響を評価した。TiO_2膜の表面形態と光学特性を,X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM),走査電子顕微鏡(SEM),およびUV-Vis分光光度法を用いて研究した。また,膜の屈折率と消光係数を分光光度データのフィッティングにより推定した。Schottkyダイオードを,TiO_2膜上のNiの蒸発によって製造した。Ni/TiO_2膜の電流-電圧(I-V)測定は,素子の整流特性がTiO_2膜密度と厚さの増加により改善されることを示した。従って,素子の最良のI-V特性を温度に依存して調べた。また,Ni/n-TiO_2/p-Si/Alデバイスを作製し,それらの輸送機構を理解した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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