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J-GLOBAL ID：201802283601979457   整理番号：18A1768115

スパッタInGaZnOに基づく高性能フレキシブルSchottkyダイオード【JST・京大機械翻訳】

High-Performance Flexible Schottky Diodes Based on Sputtered InGaZnO

著者 (7件)： Du Lulu (Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Zhang Jiawei (School of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester, Manchester, U.K.) ,  Li Yunpeng (Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Xu Mingsheng (Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Wang Qingpu (Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Song Aimin (Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Xin Qian (Centre of Nanoelectronics, Shandong University, Jinan, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 10  ページ： 4326-4333  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能の柔軟なInGaZnOベースのSchottkyダイオードを,熱処理なしに室温でポリエチレンテレフタレート(PET)とポリイミド(PI)基板上に作製した。ダイオード性能は,Pdアノード上での酸素プラズマまたはUV-オゾン処理により著しく改善された。X線光電子分光法は,両方の処理がPd表面酸化をもたらすことを示した。酸素プラズマ処理は,より完全な酸化をもたらし,従って,Schottky界面におけるより良い酸素化学量論とより高いアノード仕事関数を確実にする。これにより,7.3×10~6および2.6×10~4のオン/オフ比,0.79および0.76eVの障壁高さ,およびPETおよびPIに対するそれぞれ1.22および1.19の理想因子をもつ高性能が得られた。興味深いことに,これらのフレキシブルダイオードは2年間大気中で貯蔵後に改善された性能を示し,逆電流への適合は改善された障壁均一性を示す。2年の貯蔵後のPET上のフレキシブルダイオードは,210~7の高いオン/オフ比,0.80eVの大きな障壁高さ,1.09の1理想因子に近い,-7.5Vの高い破壊電圧,およびこれまで報告されたフレキシブルダイオードにおける最高の性能を達成した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  仕事関数 ,  *ダイオード ,  *インジウム ,  *ガリウム ,  酸素 ,  パラジウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *酸化亜鉛 ,  化学量論 ,  X線光電子分光法 ,  アノード
準シソーラス用語： 理想因子 ,  酸素プラズマ ,  障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： スパッタ ,  高性能 ,  Schottkyダイオード