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J-GLOBAL ID：201802283652012074   整理番号：18A0706626

窒化に基づく終端を有する高電圧および高I_ON/I_OFF垂直GaN-on-GaN Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

High-Voltage and High- $I_{¥text {ON}}/I_{¥text {OFF}}$ Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diode With Nitridation-Based Termination

著者 (3件)： Han Shaowen (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Yang Shu (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Sheng Kuang (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 4  ページ： 572-575  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面窒化物ベース終端(NT)技術を用いた高性能垂直GaN-on-GaN Schottky障壁ダイオード(SBD)について報告した。ほぼ理想的なSchottky接触を持つ開発したNT-SBDは,kA/cm2以上の順方向電流密度,10~13以上の電流スイング,1.2mΩcm2の微分比ON抵抗を示した。絶縁破壊電圧は,終端の後の335Vから終端後の995Vまで増加し,一方,約10~8の高いオン/オフ電流比(-600VでのI_ON/I_OFF)を,NT-SBDで実現した。NT技術はGaN表面条件を有利に修飾でき,接合端の漏れ電流を抑制し,絶縁破壊電圧を高めることを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流密度 ,  窒化物 ,  電流 ,  漏れ電流 ,  *ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  オン抵抗 ,  *窒化 ,  微分
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化 ,  終端 ,  高電圧 ,  垂直 ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード